Repositorio UFRO · Omeka S

Thermal Rectification and Thermal Logic Gates in Graded Alloy Semiconductors

Primer Autor	Ng, Ryan C.
Co-autores	Castro-Alvarez, Alejandro Sotomayor-Torres, Clivia M. Chavez-Angel, Emigdio
Título	Thermal Rectification and Thermal Logic Gates in Graded Alloy Semiconductors
Editorial	MDPI
Revista	ENERGIES
Lenguaje	en
Resumen	Classical thermal rectification arises from the contact between two dissimilar bulk materials, each with a thermal conductivity (k) with a different temperature dependence. Here, we study thermal rectification in a Si(1-x)Gex alloy with a spatial dependence on the atomic composition. Rectification factors (R = k(max)/k(min)) of up to 3.41 were found. We also demonstrate the suitability of such an alloy for logic gates using a thermal AND gate as an example by controlling the thermal conductivity profile via the alloy composition. This system is readily extendable to other alloys, since it only depends on the effective thermal conductivity. These thermal devices are inherently advantageous alternatives to their electric counterparts, as they may be able to take advantage of otherwise undesired waste heat in the surroundings. Furthermore, the demonstration of logic operations is a step towards thermal computation.
Tipo de Recurso	artículo original
Description	We acknowledge the support from Spanish MICINN project SIP (PCG2018-101743-B-100). R.C.N. acknowledges funding from the EU-H2020 Research and Innovation Programme under the Marie Sklodowska Curie Individual Fellowship (Grant No. 897148). A.C.-A. acknowledges the support from the Fondecyt Iniciacion 11200620. Agradecemos el apoyo del proyecto español MICINN SIP (PCG2018-101743-B-100). R.C.N. reconoce la financiación del Programa de Investigación e Innovación EU-H2020 en el marco de la Beca Individual Marie Sklodowska Curie (Subvención No. 897148). A.C.-A. agradece el apoyo del Fondecyt Iniciación 11200620.
doi	10.3390/en15134685
Formato Recurso	PDF
Palabras Claves	thermal rectifier alloy rectification logic gate RESISTIVITY INTERFACE TRANSPORT
Ubicación del archivo	http://dx.doi.org/10.3390/en15134685
Categoría OCDE	Energía y combustibles
Materias	rectificador térmico aleación rectificación puerta lógica RESISTIVIDAD INTERFAZ TRANSPORTE
Disciplinas de la OCDE	Física de la Materia Condensada Ingeniería de los Materiales Otras Especialidades de la Física
Título de la cita (Recomendado-único)	Thermal Rectification and Thermal Logic Gates in Graded Alloy Semiconductors
Identificador del recurso (Mandatado-único)	artículo original
Versión del recurso (Recomendado-único)	version publicada
License	CC BY 4.0
Condición de la licencia (Recomendado-repetible)	CC BY 4.0
Derechos de acceso	acceso abierto
Access Rights	acceso abierto
Referencia del Financiador (Mandatado si es aplicable-repetible)	ANID-FONDECYT 11200620 MICINN PCG2018-101743-B-100 UE EU-H2020 897148 ANID FONDECYT 11200620
Id de Web of Science	WOS:000823979000001