First Principle Study on the Effect of Strain on the Electronic Structure and Carrier Mobility of the Janus MoSTe and WSTe Monolayers
Primer Autor |
Laroze, David
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Co-autores |
El Hamdaoui, Jawad
Perez, Laura M.
Ojeda-Martinez, Miguel
El Ouarie, Nassima
Diaz, Pablo
Feddi, El Mustapha
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Título |
First Principle Study on the Effect of Strain on the Electronic Structure and Carrier Mobility of the Janus MoSTe and WSTe Monolayers
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Editorial |
MDPI
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Revista |
NANOMATERIALS
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Lenguaje |
en
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Resumen |
Using first-principle calculations, we investigate the impact of strain on the electronic structures and effective masses of Janus WSTe and MoSTe monolayers. The calculations were performed using the QUANTUM-ESPRESSO package, employing the PBE and HSE06 functionals. Our results demonstrate that strain fundamentally changes the electronic structures of the Janus WSTe and MoSTe monolayers. We observe that deformation causes a shift in the maxima and minima of the valence and conduction bands, respectively. We find that the effective electrons and hole masses of MoSTe and WSTe can be changed by deformation. In addition, the strain's effect on carrier mobility is also investigated in this work via the deformation potential theory.
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Fecha Publicación |
2023
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Tipo de Recurso |
artículo original
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doi |
10.3390/nano13182535
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Formato Recurso |
PDF
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Palabras Claves |
DFT
2D Janus
carrier mobility
electronic structure
MoSTe
WSTe
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Ubicación del archivo | |
Categoría OCDE |
Química
Ciencia y tecnología - Otros temas
Ciencia de materiales
Física
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Materias |
DFT
Jano 2D
movilidad de los transportistas
estructura electrónica
la mayoría
WSTE
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Identificador del recurso (Mandatado-único) |
artículo original
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Versión del recurso (Recomendado-único) |
versión publicada
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License |
CC BY 4.0
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Condición de la licencia (Recomendado-repetible) |
CC BY 4.0
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Derechos de acceso |
acceso abierto
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Access Rights |
acceso abierto
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Id de Web of Science |
WOS:001073989400001
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Tipo de ruta |
verde# dorado
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Categoría WOS |
Química
Ciencia y tecnología - Otros temas
Ciencia de materiales
Física
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Referencia del Financiador (Mandatado si es aplicable-repetible) |
ANID SA77210040
ANID-FONDECYT 1231020
ANID FONDECYT 1231020
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