First Principle Study on the Effect of Strain on the Electronic Structure and Carrier Mobility of the Janus MoSTe and WSTe Monolayers

Primer Autor
Laroze, David
Co-autores
El Hamdaoui, Jawad
Perez, Laura M.
Ojeda-Martinez, Miguel
El Ouarie, Nassima
Diaz, Pablo
Feddi, El Mustapha
Título
First Principle Study on the Effect of Strain on the Electronic Structure and Carrier Mobility of the Janus MoSTe and WSTe Monolayers
Editorial
MDPI
Revista
NANOMATERIALS
Lenguaje
en
Resumen
Using first-principle calculations, we investigate the impact of strain on the electronic structures and effective masses of Janus WSTe and MoSTe monolayers. The calculations were performed using the QUANTUM-ESPRESSO package, employing the PBE and HSE06 functionals. Our results demonstrate that strain fundamentally changes the electronic structures of the Janus WSTe and MoSTe monolayers. We observe that deformation causes a shift in the maxima and minima of the valence and conduction bands, respectively. We find that the effective electrons and hole masses of MoSTe and WSTe can be changed by deformation. In addition, the strain's effect on carrier mobility is also investigated in this work via the deformation potential theory.
Fecha Publicación
2023
Tipo de Recurso
artículo original
doi
10.3390/nano13182535
Formato Recurso
PDF
Palabras Claves
DFT
2D Janus
carrier mobility
electronic structure
MoSTe
WSTe
Ubicación del archivo
Categoría OCDE
Química
Ciencia y tecnología - Otros temas
Ciencia de materiales
Física
Materias
DFT
Jano 2D
movilidad de los transportistas
estructura electrónica
la mayoría
WSTE
Identificador del recurso (Mandatado-único)
artículo original
Versión del recurso (Recomendado-único)
versión publicada
License
CC BY 4.0
Condición de la licencia (Recomendado-repetible)
CC BY 4.0
Derechos de acceso
acceso abierto
Access Rights
acceso abierto
Id de Web of Science
WOS:001073989400001
Tipo de ruta
verde# dorado
Categoría WOS
Química
Ciencia y tecnología - Otros temas
Ciencia de materiales
Física
Referencia del Financiador (Mandatado si es aplicable-repetible)
ANID SA77210040
ANID-FONDECYT 1231020
ANID FONDECYT 1231020
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