JAHN-TELLER EFFECT FOR FE2+ IN III-V-SEMICONDUCTORS

Primer Autor
VOGEL, EE
Co-autores
MUALIN, O
DEORUE, MA
RIVERAIRATCHET, J
Título
JAHN-TELLER EFFECT FOR FE2+ IN III-V-SEMICONDUCTORS
Editorial
AMER PHYSICAL SOC
Revista
PHYSICAL REVIEW B
Lenguaje
en
Resumen
The Jahn-Teller coupling between local vibrations of the host III-V semiconductors and the electronic orbitals of Fe2+ substitutional impurities are studied from a theoretical point of view. Coupling to both multiplets resulting after crystal-field splitting is considered. Calculations are performed with just one adjustable parameter, namely, the Jahn-Teller energy (E(JT)). The compounds GaP:Fe2+, GaAs:Fe2+, and InP:Fe2+ are fully discussed, especially the latter. Other III-V semiconductors such as GaSb:Fe2+, InAs:Fe2+, and InSb:Fe2+ are referred to for particular applications of the model. The results for the lower multiplet show good agreement for the predicted lines with luminescence spectra; the coupling phonon is identified as belonging to the points TA(L) of the Brillouin zone; values for E(JT) are about 8 cm-1 for this coupling. The coupling to the upper multiplet is described in terms of upper limits as the available infrared-absorption spectra do not show evidence for more than one zero-phonon line. A comparison with similar calculations for II-VI compounds with Fe2+ as substitutional impurity is also performed.#Se estudia desde un punto de vista teórico el acoplamiento de Jahn-Teller entre las vibraciones locales de los semiconductores III-V anfitriones y los orbitales electrónicos de las impurezas sustitucionales de Fe2+. Se considera el acoplamiento a ambos multipletes resultantes tras el desdoblamiento del campo cristalino. Los cálculos se realizan con un único parámetro ajustable: la energía de Jahn-Teller (E(JT)). Se analizan en detalle los compuestos GaP:Fe2+, GaAs:Fe2+ e InP:Fe2+, especialmente este último. Se hace referencia a otros semiconductores III-V como GaSb:Fe2+, InAs:Fe2+ e InSb:Fe2+ para aplicaciones particulares del modelo. Los resultados para el multiplete inferior muestran una buena concordancia entre las líneas predichas y los espectros de luminiscencia; el fonón de acoplamiento se identifica como perteneciente a los puntos TA(L) de la zona de Brillouin; los valores de E(JT) son de aproximadamente 8 cm-1 para este acoplamiento. El acoplamiento al multiplete superior se describe en términos de límites superiores, ya que los espectros de absorción infrarroja disponibles no muestran evidencia de más de una línea de fonones cero. También se realiza una comparación con cálculos similares para compuestos II-VI con Fe2+ como impureza sustitucional.
Tipo de Recurso
artículo original
doi
10.1103/PhysRevB.44.1579
Palabras Claves
LATTICE-DYNAMICS
PHOTO-LUMINESCENCE
OPTICAL-ABSORPTION
INFRARED SPECTRUM
CDTE
ZNS
TRANSITIONS
STATE
FE-2+
IONS
DINÁMICA DE LA RED
FOTOLUMINISCENCIA
ABSORCIÓN ÓPTICA
ESPECTRO INFRARROJO
CDTE
ZNS
TRANSICIONES
ESTADO
FE-2+
IONES
Ubicación del archivo
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.44.1579
Materias
LATTICE-DYNAMICS
PHOTO-LUMINESCENCE
OPTICAL-ABSORPTION
INFRARED SPECTRUM
CDTE
ZNS
TRANSITIONS
STATE
FE-2+
IONS
DINÁMICA DE LA RED
FOTOLUMINISCENCIA
ABSORCIÓN ÓPTICA
ESPECTRO INFRARROJO
CDTE
ZNS
TRANSICIONES
ESTADO
FE-2+
IONES
Disciplinas de la OCDE
Física de la Materia Condensada
Física Atómica, Molecular y Química
Versión del recurso (Recomendado-único)
Version publicada
Título de la cita (Recomendado-único)
JAHN-TELLER EFFECT FOR FE2+ IN III-V-SEMICONDUCTORS
Revista/Libro
PHYSICAL REVIEW B
Tipo de ruta
hibrida
verde
Access Rights
metadata
Derechos de acceso
metadata
Idioma
en
Identificador del recurso (Mandatado-único)
artículo original
Editorial
AMER PHYSICAL SOC
ISSN
1098-0121
Página de inicio (Recomendado-único)
1579
Página final (Recomendado-único)
1587
Categoría WOS
Materials Science, Multidisciplinary
Physics, Applied
Physics, Condensed Matter
Id de Web of Science
WOS:A1991FY71800015
Colecciones
Colección Publicaciones Científicas
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