Repositorio UFRO · Omeka S

Spin and valley-dependent tunneling in MoS2 through magnetic barrier

Primer Autor	Jellal, Ahmed
Título	Spin and valley-dependent tunneling in MoS2 through magnetic barrier
Editorial	ELSEVIER
Revista	COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE
Lenguaje	en
Resumen	We study electron transport in monolayer molybdenum disulfide MoS2 subjected to a magnetic barrier. Our analysis employs a full-band continuum model to capture the relevant physical phenomena. We focus on how electron energy, magnetic field strength, and the geometric characteristics of the barrier affect the transmission and conductance. We observe sharp resonant tunneling features emerging from quantum interference effects induced by magnetic confinement. A key outcome of our study is the discovery of distinct resonance patterns in the conduction and valence bands. These patterns are closely related to the intrinsic spin-orbit coupling in MoS2 and the breaking of time-reversal symmetry by the magnetic field. This results in significant spin and valley selectivity in electron transport. We demonstrate that adjusting external parameters precisely controls spin-polarized and valley-polarized currents. We show that a magnetic barrier can control electron spin and valley in MoS2, making it a promising platform for energy-efficient spintronic and valleytronic devices.Estudiamos el transporte de electrones en monocapas de disulfuro de molibdeno (MoS2) sometidas a una barrera magnética. Nuestro análisis emplea un modelo continuo de banda completa para capturar los fenómenos físicos relevantes. Nos centramos en cómo la energía de los electrones, la intensidad del campo magnético y las características geométricas de la barrera afectan la transmisión y la conductancia. Observamos patrones de tunelización resonante pronunciados que surgen de los efectos de interferencia cuántica inducidos por el confinamiento magnético. Un resultado clave de nuestro estudio es el descubrimiento de patrones de resonancia distintos en las bandas de conducción y de valencia. Estos patrones están estrechamente relacionados con el acoplamiento espín-órbita intrínseco en MoS2 y la ruptura de la simetría de inversión temporal por el campo magnético. Esto da como resultado una selectividad de espín y valle significativa en el transporte de electrones. Demostramos que el ajuste preciso de los parámetros externos controla las corrientes polarizadas en espín y valle. Mostramos que una barrera magnética puede controlar el espín y el valle de los electrones en MoS2, lo que lo convierte en una plataforma prometedora para dispositivos espintrónicos y valletrónicos de alta eficiencia energética.
Tipo de Recurso	artículo original
Description	Magnetic field Transmission Spin Valley Polarization
doi	10.1016/j.commatsci.2025.114130
Formato Recurso	pdf
Palabras Claves	SINGLE-LAYER MOS2 TRANSITION-METAL DICHALCOGENIDES STATES
Ubicación del archivo	http://dx.doi.org/10.1016/j.commatsci.2025.114130
Materias	SINGLE-LAYER MOS2 TRANSITION-METAL DICHALCOGENIDES STATES
Disciplinas de la OCDE	Física de la Materia Condensada Ingeniería Eléctrica y Electrónica Nanomateriales (Producción y Propiedades)
Versión del recurso (Recomendado-único)	versión publicada
Tipo de ruta	hibrida verde
Access Rights	embargo 24
Derechos de acceso	embargo 24
Id de Web of Science	WOS:001541491000001
Título de la cita (Recomendado-único)	Spin and valley-dependent tunneling in MoS2 through magnetic barrier
Identificador del recurso (Mandatado-único)	artículo original
Editorial	ELSEVIER
Revista/Libro	COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE
Categoría WOS	Materials Science, Multidisciplinary
Idioma	en
ISSN	0927-0256
Entidad financiadora	FONDECYT(Comision Nacional de Investigacion Cientifica y Tecnologica (CONICYT)CONICYT FONDECYT)
Referencia del Financiador (Mandatado si es aplicable-repetible)	FONDECYT [1231020]
Formato	pdf