Repositorio UFRO · Omeka S

Electronic structure and STM images simulation of defects on hBN/black-phosphorene heterostructures: A theoretical study

Primer Autor	Correa, J. D.
Co-autores	Ospina, D. A. Cisternas, E. Duque, C. A.
Título	Electronic structure and STM images simulation of defects on hBN/black-phosphorene heterostructures: A theoretical study
Editorial	ELSEVIER SCIENCE BV
Revista	SURFACE SCIENCE
Lenguaje	en
Resumen	By first principles calculations which include van der Waals interactions, we studied the electronic structure of hexagonal boron-nitride/black-phosphorene heterostructures (hBN/BP). In particular the role of several kind of defects on the electronic properties of black-phosphorene monolayer and hBN/BP heterostructure was analyzed. The defects under consideration were single and double vacancies, as well Stone-Wale type defects, all of them present in the phosphorene layer. In this way, we found that the electronic structure of the hBN/BP is modified according the type of defect that is introduced. As a remarkable feature, our results show occupied states at the Fermi Level introduced by a single vacancy in the energy gap of the hBN/BP heterostructure. Additionally, we performed simulations of scanning tunneling microscopy images. These simulations show that is possible to discriminate the kind of defect even when the black-phosphorene monolayer is part of the heterostructure hBN/BP. Our results may help to discriminate among several kind of defects during experimental characterization of these novel materials. (C) 2017 Elsevier B.V. All rights reserved. Mediante cálculos de primeros principios que incluyen interacciones de van der Waals, estudiamos la estructura electrónica de heteroestructuras hexagonales de nitruro de boro/fosforeno negro (hBN/BP). En particular, analizamos el papel de diversos tipos de defectos en las propiedades electrónicas de la monocapa de fosforeno negro y la heteroestructura hBN/BP. Los defectos considerados fueron vacantes simples y dobles, así como defectos de tipo Stone-Wale, todos presentes en la capa de fosforeno. De esta manera, observamos que la estructura electrónica del hBN/BP se modifica según el tipo de defecto introducido. Como característica destacable, nuestros resultados muestran estados ocupados en el nivel de Fermi introducidos por una sola vacante en el gap de energía de la heteroestructura hBN/BP. Además, realizamos simulaciones de imágenes de microscopía de efecto túnel. Estas simulaciones muestran que es posible discriminar el tipo de defecto incluso cuando la monocapa de fosforeno negro forma parte de la heteroestructura hBN/BP. Nuestros resultados pueden ayudar a discriminar entre diversos tipos de defectos durante la caracterización experimental de estos nuevos materiales. (C) 2017 Elsevier B.V. Todos los derechos reservados.
Tipo de Recurso	Artículo original
Description	Este trabajo fue financiado parcialmente por la Universidad de La Frontera, en el marco del Proyecto DI17-0027, y por la Universidad de Medellín. Algunos cálculos DFT se realizaron en el Laboratorio de Simulación y Computación Científica de la Universidad de Medellín. Impulsado por NLHPC: Esta investigación fue parcialmente financiada por la infraestructura de supercomputación del NLHPC (ECM-02). This work was partially supported by the Universidad de La Frontera, under Project DI17-0027, and by the Universidad de Medellin. Some of the DFT calculations were performed on the Laboratorio de Simulacion y Computacion Cientifica at Universidad de Medellin. Powered@NLHPC: This research was partially supported by the supercomputing infrastructure of the NLHPC(ECM-02).
doi	10.1016/j.susc.2017.11.015
Formato Recurso	pdf
Palabras Claves	Black-phosphorene Boron nitride Heterostructures STM Fosforeno negro nitruro de boro Heteroestructuras STM
Ubicación del archivo	http://dx.doi.org/10.1016/j.susc.2017.11.015
Categoría OCDE	Chemistry, Physical# Physics, Condensed Matter
Materias	Black-phosphorene Boron nitride Heterostructures STM Fosforeno negro nitruro de boro Heteroestructuras STM
Disciplinas de la OCDE	Física de la Materia Condensada Nanomateriales (Producción y Propiedades) Física Atómica, Molecular y Química
Versión del recurso (Recomendado-único)	version publicada
Tipo de ruta	suscripción
Access Rights	metadata
Derechos de acceso	metadata
Id de Web of Science	WOS:000424852800013
Título de la cita (Recomendado-único)	Electronic structure and STM images simulation of defects on hBN/black-phosphorene heterostructures: A theoretical study
Identificador del recurso (Mandatado-único)	Artículo original
Editorial	ELSEVIER SCIENCE BV
Revista/Libro	SURFACE SCIENCE
Categoría WOS	Química Física Física, Materia Condensada
ISSN	0039-6028
Idioma	en
Referencia del Financiador (Mandatado si es aplicable-repetible)	UFRO DI17-0027 Universidad de Medellin NLHPC ECM-02
Descripción	This work was partially supported by the Universidad de La Frontera, under Project DI17-0027, and by the Universidad de Medellin. Some of the DFT calculations were performed on the Laboratorio de Simulacion y Computacion Cientifica at Universidad de Medellin. Powered@NLHPC: This research was partially supported by the supercomputing infrastructure of the NLHPC(ECM-02).
Formato	pdf
Página de inicio (Recomendado-único)	95
Página final (Recomendado-único)	102
Entidad financiadora	UFRO DI17-0027#Universidad de Medellin#NLHPC ECM-02